集微網消息，據韓媒報道，韓國主要晶圓代工廠商東部高科（DB HiTek）正加快碳化硅功率半導體制造工藝開發，最早有望在明年啟動8英寸工藝平臺開發。
報道稱，東部高科目前正同步推進碳化硅和氮化鎵工藝研發，氮化鎵的8英寸工藝開發已經鋪開，計劃在2-3年內完成，而碳化硅方面，該公司目前正開展6英寸工藝研發。
報道還透露，東部高科最早將于明年利用其生產基地閑置場地部署8英寸碳化硅功率半導體制造設備，相關負責人表示，該公司看好碳化硅前景，將通過外包等手段解決相關設備的供應問題。
與傳統硅基功率半導體相比，碳化硅由于寬帶隙、耐高溫等特性，在功率半導體領域被認為有重大潛力，目前在電動汽車主驅等領域已得到規模應用，據市場研究公司 Yole Development 預測，碳化硅功率器件市場將從 2021 年的 10.9 億美元增長到 2027 年的 62.97 億美元，復合年增長率為 34%。